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SUD50P04-13L-E3中文资料

SUD50P04-13L-E3图片

SUD50P04-13L-E3外观图

  • 大小:98.1KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, P, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:48A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Base Number:50; Current Id Max:-60A; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:22mohm; On State resistance @ Vgs = 10V:13mohm; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:93.7mW; Pulse Current Idm:100A; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:-40V; Voltage Vgs Max:-20V; Vol...
  • 标准包装:2,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:13 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:95nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3120pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
  • 包装:带卷 (TR)

SUD50P04-13L-E3供应商

更新时间:2023-01-22 16:52:33
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